W25Q128

1. 芯片总容量

“W25Q128”中的“128”代表128Mbit（兆比特）。

• 总容量（字节） = 128 Mbit / 8 = 16,777,216 字节 （即16MB）。

2. 页大小（Page Size）

根据W25Q128的官方数据手册（Datasheet），其编程操作的基本单位是页（Page）。

• 一页 = 256 字节。

这是最重要的写入单位。你可以一次连续写入最多256个字节到一页中。如果你想写入的数据量超过256字节或者发生了“跨页”（即写入的起始地址加上数据长度超过了当前页的边界），就必须将这次写入操作分成多个“页编程”命令来执行。

3. 总页数计算

知道了总容量和一页的大小，总页数就很容易计算了：

• 总页数 = 总容量 / 页大小

• 总页数 = 16,777,216 字节 / 256 字节/页 = 65,536 页

4. 更大的擦除单位：扇区（Sector）和块（Block）

对于Flash芯片（如W25Q128），除了写入的基本单位“页”，擦除有更大的单位，了解这一点至关重要：

• 扇区（Sector）： 4 KB （即16页）。这是最常用的擦除单位。如果你想改写某个扇区里的任何一个字节，都必须先擦除整个4KB的扇区，然后再重新写入数据。

• 块（Block）： 64 KB （即16个扇区，或256页）。提供了更大的擦除单位，用于大规模数据管理。

• 整片擦除（Chip Erase）： 还可以一次性擦除整个芯片。

重要提示： Flash存储器（如W25Q128）与EEPROM的一个关键区别是：它不能像EEPROM那样直接覆盖（覆盖写）单个字节。它的标准操作流程是：

1. 读取： 如果需要修改一个扇区内的部分数据，需要先将整个扇区的数据读取到微控制器的RAM中。

2. 修改： 在RAM中修改需要改变的数据。

3. 擦除： 擦除目标扇区（整个4KB）。

4. 写入： 将修改好的整个扇区数据重新编程（写入）回去。

总结表

参数	值	说明
芯片型号	W25Q128JV	(常见版本)
总容量	128 Mbit / 16 MB	16,777,216 字节
页大小 (Page)	256 字节	写入/编程的基本单位
扇区大小 (Sector)	4 KB (4096 字节)	擦除的基本单位 (包含16页)
块大小 (Block)	64 KB (65536 字节)	大擦除单位 (包含16个扇区)
总页数	65,536	(16,777,216 / 256)