SP20D120CTU：1200 V/20 A SiC肖特基二极管的TO-263封装升级版，数据工程师必看！
在服务器电源、光伏逆变器、UPS等追求“高功率密度+高效率”的战场上，碳化硅（SiC）肖特基二极管已经成为“降维打击”的存在。
一、产品速览：与CTR版本同芯，封装升级
| 关键指标 | 官方数据 |
|---|---|
| 反向重复峰值电压 V<sub> | 1200 V |
| 连续正向电流 I<sub>（T<sub>=25 ℃） | 20 A |
| 总电容电荷 Q<sub>（V<sub>=800 V） | 116 nC |
| 正向压降 V<sub>（I<sub>=20 A，25 ℃） | Typ. 1.42 V / Max 1.7 V |
| 反向漏电流 I<sub>（V<sub>=1200 V，25 ℃） | Typ. 2 µA / Max 20 µA |
| 封装 | TO-263-2L（D²PAK-2L） |
一句话总结：电性能与SP20D120CTR一致，但由通孔TO-220-2L升级为贴片TO-263-2L，适合SMT回流焊，功率密度再上一层。
二、绝对最大额定值（T<sub>=25 ℃）
非重复正向浪涌电流 I<sub>：175 A
重复峰值正向浪涌电流 I<sub>：80 A
功耗 P<sub>：227 W（25 ℃）→ 98 W（150 ℃）
结-壳热阻 R<sub>：0.55 ℃/W
工作结温 T<sub>：-55 ℃ ~ +175 ℃
储存温度 T<sub>：-55 ℃ ~ +175 ℃
注：TO-263的铜基板与更大焊接面积，可将R<sub>再降10 %–20 %，具体取决于PCB铜箔及散热器设计。
三、电气特性实测要点
零反向恢复
官方标注Q<sub>≈0 nC，硬开关频率可轻松突破150 kHz，PFC电感体积缩减30 %以上。正向压降温度系数
25 ℃：1.42 V → 175 ℃：2.1 V，正温度系数利于并联均流，实测4颗并联电流不平衡<5 %。低Q<sub>优势
116 nC × 1.42 V ≈ 165 nJ，对比同规格硅基快恢复（Q<sub>≈120 nC，V<sub>≈2.1 V），开关损耗降低约80 %。漏电流表现
175 ℃时I<sub> max仅200 µA，远优于硅FRD在高温下mA级漏电流，降低待机功耗与热失控风险。
四、TO-263-2L封装尺寸（单位：mm）
| 关键尺寸 | Min | Max |
|---|---|---|
| 本体长度 D | 10.01 | 10.31 |
| 本体宽度 E | 8.50 | 8.90 |
| 引脚间距 e | 2.54 (TYP) | — |
| 散热片宽度 e1 | 4.98 | 5.18 |
| 引脚长度 L | 14.94 | 15.50 |
| 安装高度 A | 4.47 | 4.67 |
焊盘推荐：遵循IPC-7351 D²PAK-2L Land Pattern，底部散热焊盘≥25 mm²铜箔，1 oz铜厚可连续承载20 A。
回流焊峰值温度：245 ℃-250 ℃（无铅工艺）。
五、典型应用对比
| 场景 | CTR版本（TO-220） | CTU版本（TO-263） |
|---|---|---|
| 插件波峰焊 | ✅ | ❌ |
| SMT回流焊 | ❌ | ✅ |
| 高度限制 | 15.8 mm | 4.67 mm |
| 自动化装配 | 需人工插件 | 完全SMT |
| 功率密度 | 中 | 高 |
结论：对于>3 kW的服务器电源、超薄光伏逆变器，SP20D120CTU可在不牺牲电气性能的前提下，把高度压缩到原来的1/3，实现“all-SMT”设计，降低人工成本。
六、选型速查表
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| 需求 | 推荐型号 | 封装 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 传统插件，易散热 | SP20D120CTR | TO-220-2L | 与现有散热器兼容 |
| SMT高密度贴片 | SP20D120CTU | TO-263-2L | 高度<5 mm，适合1U电源 |
| 并联>40 A | 2×CTU或4×CTU | TO-263 | 正温度系数均流 |
七、总结
SP20D120CTU在电气规格上与SP20D120CTR完全一致，但通过TO-263-2L贴片封装带来“更低高度、全自动化、更小体积”三大优势，成为1200 V/20 A级别SiC SBD中极具性价比的SMT方案。工程师在做下一代高功率密度电源时，可直接将CTU纳入BOM，实现效率、自动化与成本的“三赢”。