运放参数汇总

​一、直流参数（静态特性）​​
​输入失调电压（Vos）​​
​定义​：使输出电压为零时，两输入端所需的电压差。
​影响​：造成输出直流偏移，高精度电路需选择低Vos（如<1mV）的运放。
​典型值​：通用运放约1mV，精密运放（如OP07）低至10μV。
​输入偏置电流（Ib）​​
​定义​：输入端的直流偏置电流平均值。
​影响​：流经外部电阻产生误差电压，高阻抗电路需低Ib运放（如FET输入型）。
​典型值​：BJT输入型约10nA~1μA，FET输入型低至1pA。
​输入失调电流（Ios）​​
​定义​：两输入端偏置电流的差值。
​影响​：与Ib共同作用产生误差，通常比Ib小一个数量级。
​共模抑制比（CMRR）​​
​定义​：对共模信号的抑制能力，单位dB。
​影响​：CMRR越高（如>100dB），抑制共模干扰能力越强。
​电源抑制比（PSRR）​​
​定义​：电源电压变化对输出的影响，单位dB。
​影响​：PSRR越高（如>80dB），电源噪声对输出影响越小。

​二、交流参数（动态特性）​​
​开环增益（Aol）​​
​定义​：无反馈时的电压放大倍数，通常以dB表示（如100dB ≈ 10^5倍）。
​影响​：增益越高，闭环精度越高，但带宽受限。
​增益带宽积（GBP）​​
​定义​：增益与带宽的乘积（如1MHz），决定闭环带宽。
​应用​：若需增益G=100，则带宽≈GBP/G=10kHz。
​压摆率（Slew Rate, SR）​​
​定义​：输出电压最大变化速率（单位V/μs）。
​影响​：SR不足会导致高频信号失真（如方波边沿变缓）。
​典型值​：通用运放约0.5V/μs，高速运放（如AD8065）达3000V/μs。
​建立时间（Settling Time）​​
​定义​：输出稳定在指定误差范围内所需时间（如0.1%精度）。
​应用​：高速ADC驱动电路需纳秒级建立时间。

​三、电源与功耗参数​
​电源电压范围（Vs）​​
​定义​：运放正常工作所需的最小至最大电源电压。
​类型​：单电源（如0~5V）、双电源（如±15V）、轨到轨（输入/输出接近电源轨）。
​静态电流（Iq）​​
​定义​：无负载时的电源电流。
​应用​：电池供电设备需低Iq（如<1mA）运放（如LTC2067仅1.2μA）。

​四、输入输出特性​
​输入阻抗（Zin）​​
​定义​：输入端对信号的等效阻抗。
​典型值​：BJT输入型约1MΩ，FET输入型可达1TΩ。
​输出阻抗（Zout）​​
​定义​：输出端等效阻抗，闭环时由反馈网络降低。
​典型值​：开环约100Ω，闭环可降至毫欧级。
​输出摆幅（Output Swing）​​
​定义​：输出端最大电压范围（如轨到轨输出可接近电源轨）。

​五、环境与封装​
​工作温度范围​
​商业级​：0℃~70℃
​工业级​：-40℃~125℃
​封装类型​
​常见封装​：DIP-8（直插）、SOIC-8（贴片）、SOT-23（微型）。

​六、选型要点​
​高精度电路​：低Vos、低Ios、高CMRR（如OPA2188）。
​高速应用​：高GBP、高压摆率（如ADA4817）。
​低功耗设备​：低静态电流、宽电源电压（如MAX40100）。
​单电源系统​：轨到轨输入/输出（如MCP6002）。