高可靠性隔离驱动设计：NSi6602B-DSWR双通道栅极驱动器技术解析

一、产品概述

NSi6602B-DSWR是一款面向工业与能源领域的高可靠性隔离式双通道栅极驱动器，专为驱动SiC/GaN及IGBT功率器件优化。在SOIC16封装可达5700Vrms，同时具备±100kV/μs CMTI（共模瞬变抗扰度），可有效抑制功率拓扑中的高频开关噪声。

驱动器支持2.7V-5.5V低压逻辑输入与28V驱动侧电源，双通道独立输出4A峰值拉电流/6A峰值灌电流，19ns传播延迟与5ns通道间延迟匹配使其可精准控制2MHz开关频率下的功率管动作。集成可编程死区时间与20ns最小脉宽响应特性，为LLC、PFC等高动态电路提供时序控制自由度。

二、核心产品特性

1. 电气性能

   • 输入侧电压：2.7V - 5.5V

   • 驱动侧电压：5V - 28V（带UVLO保护）

   • 峰值驱动能力：4A（拉电流）/6A（灌电流）

   • 传播延迟：19ns（典型值）

   • 通道匹配：<5ns延迟差异

2. 隔离可靠性

   • 隔离电压：

     • 2500Vrms（LGA13）

     • 5700Vrms（SOIC16-300mil）

   • CMTI：±100kV/μs

   • 工作温度：-40℃ ~ +125℃

3. 动态性能

   • 支持开关频率：≤2MHz

   • 脉宽失真：<6ns

   • 死区时间可编程

三、产品优势

四、典型应用场景

1. 高频开关电源

   • 服务器/通信电源

   • 光伏逆变器

2. 电机驱动系统

   • 工业电机

   • 电动汽车

3. 能源基础设施

   • UPS

   • 充电桩

4. 高可靠性电源

   • 医疗电源

   • 工控电源