电力MOSFET漏源过电压与窄脉冲自保护驱动电路
1 电力MOSFET的漏源过电压
2 窄脉冲自保护驱动电路说明
3 脉冲变压器设计说明
1 电力MOSFET的漏源过电压
如果器件接有感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比外部电源高的多的漏极尖峰电压，导致器件的击穿。电力MOSFET关断得越快，产生的过电压越高。杂散电感在实际电路中总是不同程度地存在着，因此，器件关断时总是存在感应过电压的危险。为防止器件损坏，可采取以下措施：
1）如果器件接有电感性负载，最简单的防护方法是在感性负载两端反向并接一个钳位二极管，如图a所示，二极管将钳位掉大部分的瞬变电压。
2）用宽频带齐纳二极管限制漏源瞬变电压，如图b所示，齐纳二极管（俗称稳压管）将把瞬态电压限制在它的击穿电压范围之内。应注意齐纳二极管的功率额定值应能把钳位能量完全消耗掉。
3）用二极管-RC钳位网络限制漏源瞬变电压，如图c所示。电容在整个开关周期内几乎维持恒定的电压值，在瞬态过压时电容吸收能量，其余时间内把能量馈送给电阻器。
4）利用RC缓冲器吸收瞬变电压，如图d所示。该电路对瞬变电压的吸收也比较有效。但由于在电容的通路中串入电阻，吸收效果不及二极管-RC网络钳位。
