激光隐形切割（Stealth Dicing）技术
前言与目录
隐形切割（Stealth Dicing）技术概述
隐形切割是一种创新的激光切割技术，通过激光实现高精度切割。其核心优势包括完全干燥工艺、无截口损失、无切屑生成以及高弯曲强度。
技术特点
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完全干燥工艺：无需冷却液或其他介质，减少污染风险。
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无截口损失：切割过程中材料损耗极低，提升利用率。
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无切屑：避免碎屑对精密器件的影响，提高成品率。
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高弯曲强度：切割后的材料结构更稳定，适用于高应力环境。
适用领域
该技术可广泛应用于MEMS器件、存储器件等精密电子元件，满足高精度、高可靠性的加工需求。
隐切原理： 隐形切割技术可将能够穿透材料的波长的激光光束聚焦，在内部聚焦并形成晶圆破裂的起点（改性层：隐形切割层，以下称为“SD 层”），然后向晶圆施加外部应力，将其分离。
该过程主要由两部分组成，一般被称为激光改制过程与晶圆扩展分离过程；
一、隐切激光改制过程：
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激光光束聚焦在晶圆内部，形成 SD 层以分离晶圆。
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裂纹也从 SD 层形成，而 SD 层在内部朝向晶圆的顶部和底部表面形成，这些裂纹通过激光光束扫描沿着计划的切割线连接。
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此外，为了切割 MEMS 器件等厚晶圆，在厚度方向上形成多个 SD 层，然后连接裂纹。
根据SD层行为可以分为
二、晶圆扩展分离过程：
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通过胶带膨胀等行为在周边方向上拉紧胶带，对已形成 SD 层的晶圆施加外力。这会对晶圆的内部裂纹状态施加拉应力，并使裂纹延伸到顶部和底部表面，从而分离晶片。
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由于晶圆分离是通过延伸裂纹进行的，因此没有应力施加在器件上。此外，由于基本上没有截口损失，这会提高芯片成品率。
一般这种可能伴随劈裂或研磨；之后再通过扩膜将晶圆分离；
隐形切割技术的特点
隐形切割技术通过非接触式激光处理，避免了传统切割方法带来的物理或热应力问题。其核心优势在于无需机械接触或高温烧蚀，直接从内部实现材料分离，从而减少污染、应力损伤和工艺复杂度。
与传统技术的区别
刀片切割的局限性
金刚石砂轮高速旋转切割晶圆时，机械接触会引入振动和冷却水残留，导致应力负荷和再污染。切屑堆积可能削弱晶圆结构强度，而分散的颗粒物会引发脆性断裂，需额外增加保护膜工序。此外，刀片切割受限于成品率和处理速度。
烧蚀切割的局限性
激光烧蚀通过高温蚀刻凹槽实现切割，但热影响区（HAZ）会导致材料强度劣化。同样存在分散物质污染问题，需保护膜工序辅助。激光烧蚀的成品率和处理速度也面临瓶颈。
隐形切割的改进点
隐形切割无需物理接触或高温烧蚀，通过激光内部聚焦直接分离晶圆，避免了应力、热损伤和污染。省去保护膜工序，提升成品率，同时处理速度更快。
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