22-内部FLASH
一、ROM只读存储器的基本概述
1.1 基本概念
我们正常编译生成的二进制文件，需要下载烧录到单片机里面去，这个文件保存在单片机的ROM中，ROM是一种固态半导体存储器，具有只能读出事先所存数据的特性。这意味着，一旦数据被写入ROM，用户就无法进行修改或删除，只能进行读取操作。
1.2 工作原理
ROM的基本工作原理基于存储单元的固定状态。每个存储单元可以存储一个二进制位（0或1），通过电路设计实现数据的读取。具体来说，ROM内部通过逻辑电路将数据固定在存储单元阵列中，在读取数据时，控制电路选择相应的地址单元，并将数据传输给处理器。
1.3 主要特点
- 数据固定性：ROM中的数据是在出厂时被编程固化的，用户无法进行修改。这使得ROM非常适合用于存储固定不变的信息，如计算机或电子设备的启动程序、固件和操作系统的关键部分等。
- 数据可靠性：由于ROM中的数据是在生产过程中进行编程的，因此具有很高的可靠性。与可擦写存储器（如闪存）相比，ROM具有更低的故障率，并且不容易受到病毒或错误操作的影响。
- 高速读取：ROM的读取速度非常快，因为其中的数据是固定的，无需进行写入和擦除操作。这使得ROM适用于需要快速读取数据的应用场景。
- 低功耗：ROM不需要外部电源来保持数据的稳定性，因此具有极低的功耗和较长的使用寿命。
- 大容量：ROM可以容纳大量的数据和指令，提供的容量从几千字节到几十兆字节不等，能够满足各种应用的需求。
- 非易失性：即使断电，ROM中存储的数据也不会丢失。
1.4 分类说明
根据制造工艺和数据写入方式的不同，ROM可以分为以下几种类型：
- 掩膜只读存储器（MROM）：在制造过程中，数据被永久地写入存储单元中，用户无法进行修改。
- 可编程只读存储器（PROM）：允许用户在制造后通过专用设备进行一次编程。
- 可擦除可编程只读存储器（EPROM）：数据可以通过紫外线擦除，并允许重新编程多次。但擦除过程相对复杂，需要专用设备。
- 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）：使用电信号擦写数据，修改数据更加方便。但写入速度相对较慢，且成本较高。
- 快闪存储器（Flash Memory）：EEPROM的改进版，支持快速大块数据擦写，具有更高的擦写速度和更大的容量。但写入次数有限。
1.4.1Flash（EEPROM）
如果从电擦除这一特性上深入探讨的话，FLASH存储器确实可以被视为EEPROM（电可擦可编程只读存储器）的一种变体，但二者之间存在着显著的差异。关键在于它们的擦除机制上：EEPROM允许以字节为单位进行擦除操作，这意味着可以精确地修改存储单元中的少量数据，而无需影响其他数据。这种高度的灵活性使得EEPROM在处理需要频繁更新小量数据的应用时表现出色，但相应地，也增加了其制造成本和技术复杂性。
相比之下，FLASH存储器则采用了更为粗犷的擦除方式——按扇区进行擦除。扇区通常包含多个字节的数据，因此，在需要修改FLASH中的数据时，即便是只更改一个字节的信息，也必须将整个扇区的内容擦除后再重新写入。这种擦除机制虽然牺牲了EEPROM那样的精细控制能力，但却极大地简化了存储器的结构和制造流程，从而有效地降低了成本。因此，FLASH存储器在价格上相较于EEPROM具有显著优势，尤其是在需要大容量存储的应用场景中，这一成本优势尤为明显。
此外，FLASH存储器的这一特性还促使了其在多种电子设备中的广泛应用，从智能手机、数码相机到固态硬盘（SSD），FLASH都扮演着不可或缺的角色。这些设备往往需要存储大量数据，而FLASH的高性价比和可靠的存储性能使其成为理想的选择。尽管在某些特定场景下，EEPROM的灵活性可能更为理想，但总体来看，FLASH存储器凭借其成本效益和广泛适用性，在存储市场上占据了主导地位。
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。用途SD卡、固态硬盘、芯片内存存储单元存储代码。
二、MCU内部FLASH的特性与原理
2.1 主要特性
注意：这里FLASH写的是1M是按最高的写，实际上只有512KB
2.2 操作技巧
三、MCU内部Flash的编程细节
- 以分区形式进行规划，配置数据最好从最后扇区进行操作，防止覆盖扇区0的代码。
注意：在程序下载KEIL已经设置好了下载地址起始地址，根据上面，可发现在下载的程序从扇区0开始的。
程序固化到FLASH,需要对BOOT0与BOOT1进行设置
BOOT接GND BOOT1可接任意电平，程序下载及启动从FLASH开始。
- 写入数据之前得先擦除数据，类似与读书时的黑板原理。
具体步骤：
（1）解锁
FLASH_Unlock();
（2）擦除扇区
FLASH_EraseSector(uwSectorCounter, VoltageRange_3);
（3）往FLASH当中写入数据(按字节写入数据)
FLASH_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data)
（4）上锁
FLASH_Lock();
例子源码：
https://download.csdn.net/download/m0_63622771/90868128