【氧化镓】HTFB应力对β - Ga2O3 SBD的影响

2024 年 9 月，西安电子科技大学的 Sunyan Gong 等人（通讯作者是 Xuefeng Zheng）在《IEEE Transactions on Electron Devices》期刊发表了题为《Impact of High-Temperature Forward Bias Stress on the Electrical Performance Degradation of β -Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diodes》的文章。该研究基于电流 - 电压（I - V）、电容 - 电压（C - V）测量以及频率依赖性电导技术等方法，对垂直 Pt/Au β - Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管（SBD）在高温正向偏置（HTFB）应力下的电学性能退化机制进行了深入探究。实验中，研究团队对自研的垂直 β - Ga 2 O 3 SBD 进行了 HTFB 应力处理（200℃、13V 前向偏置电压下持续 10ks），结果发现器件的正向导通电流密度（Jon）大幅下降 60%，反向漏电流密度（Jr）增加了四个数量级，且这种退化在室温下不可恢复。通过 C - V 测量发现 Ga 2 O 3 漂移层的载流子浓度略有降低，但影响较小；而频率依赖性电导技术结果显示，Pt/Ga 2 O 3 界面态密度显著增加，陷阱激活能也明显升高。进一步分析表明，在 HTFB 应力下，P