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告别压降损耗与反向电流困扰：汽车电子电源防反接方案全面解析与理想二极管应用

ds 2025/8/22 5:01:40

在汽车电子系统中，由于电源反接、快速负脉冲群、微关断、叠加交流等防护要求，需要设计防反电路。常见电路中，依赖肖特基二极管实现电池反接保护和电源冗余（ORing）设计。然而，随着功率密度和效率要求飙升，传统方案已显疲态——您是否还在为那0.5V正向压降导致的散热和效率损失而头疼？

汽车电子需要考虑的电源输入防反情形示意

方案一：肖特基二极管的困境---效率与散热的双重枷锁

二极管防反方案示意

电源反向响应示意

肖特基二极管防反虽然可以有效防电源反接及反向电流，但是其典型压降较大，带来一些应用问题。一方面，当控制器电流较大时，二极管压降*电流产生较大的功率，这些功率只能通过热能散出去，除了造成能量浪费，当热量聚集时会造成元器件永久损坏；另一方面，当电压偏低时，二极管压降会降低IC的输入电压，吞噬系统裕量，严重时会造成低压重启，可能造成批量缺陷事故。以下用一些实际型号的参数方便直观对比。

◇能量浪费&热风险：10A电流下，典型肖特基二极管（如STPS20M60S）产生4.65W热损耗，产生极大热失效风险，而MOSFET方案（如DMT6007LFG）仅0.35W

◇系统裕量吞噬者：汽车冷启动时电池电压低至3V，0.5V压降竟占可用电压的17%！可能造成后端电源或控制器芯片复位。

◇高温陷阱：150°C时60V肖特基反向漏电流达100mA，-60V时产生6W额外损耗。使得极限工况设计变得棘手。

为了解决上述肖特基防反问题，汽车工程应用在大电流场景下通常会使用MOS进行防反接处理。

方案二：MOS防反接--工程救星OR 仍有BUG陷阱？

为了降低二极管的正向压降，可以将肖特基二极管替换为 P 沟道 MOSFET，并使其体二极管与肖特基二极管的方向相同。在电池正常工作期间，MOSFET 的体二极管将被正向偏置，并导通很短的时间，直到栅极电压被拉至源极以下时会将 MOSFET 导通。当电池极性反转时，栅源电压变为正电压，并将 MOSFET 关断，从而保护下游电路免受负电压的影响。

PMOS防反方案示意

电源反向响应示意（12V 快速变为 -20V 的动态反极性条件）

二极管防反与PMOS防反时，输入短路和电源微中断是的响应波形

上图是二极管防反与PMOS防反时，叠加交流波形响应波形

可以看到其在反向电压时，无法实现反向电流截止，从而导致输出电容快速掉电，也叠加交流波形也无法整流。

在电源防反设计中，MOS管方案曾被视为「性价比之王」，但是其本身也存在无法防反向电流先天缺陷，其优势与问题汇总如下。

1）PMOS高侧防反方案

优势：◇部署简单，成本低廉：仅需1颗MOS+2电阻

◇低压性能优异：12V系统导通电阻可以达到数mΩ级别

问题：核心是无法防反向电流

◇输入短路时，输出电容短路点放电，导致输出电压崩溃；

◇动态反极性失效：如-20V脉冲输入时，输出电容完全放电，后端电路将会复位，从而可能无法满足电性能测试；

◇当输入电压小于4V时，Rds_on飙升300%，低压下需要考虑MOS热风险及吞噬电压裕度风险（这部分同二极管防反）

2）N-MOS低侧防反接方案

这种防反在电源输入几乎很少应用，多数应用在局部电路，如Highside电路防反。

优势：◇导通电阻更低（同尺寸比P-MOS低30%）

◇无体二极管反向导通风险

问题：◇系统接地扰动：MOS管在返回路径，开关时引起GND跳变

◇启动失效：电池电压＜MOS阈值时无法导通。容易在低温下表现功能异常。

写到这里，小结一下：

那就没有方案能解决上述问题了么?

有，当然有，这就是这里要重点介绍的理想二极管。

方案三：理想二极管方案---且看他如何碾压传统方案

为了解决前述二极管防反高压降、高功率损失、热失效的痛点，及MOS防反无法防反向电流从而导致输出电容电压崩塌的问题，理想二极管控制横空出世，其即集成了MOS低压降特性，又具备类似肖特基快速关断防止反灌电流特性，是电源输入防反一种理想而终极解决方案。下面以TI LM74700-Q1参数为例介绍。

静态反极性输入短路的响应

负脉冲响应微中断响应

叠加交流响应

关键性能对比

测试场景	肖特基方案	P-MOSFET方案	理想二极管方案 LM74700-Q1
静态反极性	输出隔离	输出隔离	输出隔离
动态反极性	缓慢放电	完全放电	缓慢放电
输入微短路	1ms内阻断	输出电压崩溃	0.77μs阻断
冷启动性能	压降吞噬17%电压	3.2V时近乎失效	3.2V全功能运作
方案尺寸	140mm²(>6A)	120mm²	37.1mm²