KGF75N65KDF-U/H KEC 集成电路IC 工业电机驱动
KGF75N65KDF-U/H KEC MOSFET
一、产品核心定位
KGF75N65KDF-U/H 是韩国电子(KEC)推出的650V/75A N沟道超级结(Super Junction)MOSFET,采用多层外延技术,专为工业电机驱动、新能源逆变器、大功率电源等高功率应用设计。以36mΩ超低导通电阻和超快开关速度,成为高效能电源系统的"心脏级"器件!
二、三大核心技术优势
✅ 超低导通损耗
RDS(on)仅36mΩ@10V(比竞品低30%),大幅降低发热
支持100kHz高频开关,效率突破98%
✅ 极速开关性能
反向恢复时间(Qrr)仅45nC,开关损耗降低50%
开关频率可达500kHz,完美适配SiC/GaN驱动
✅ 工业级可靠性
100%雪崩测试通过,抗浪涌能力比竞品强30%
-55°C~+150°C全温区工作,寿命超10万小时
三、应用领域
🔹 工业自动化
伺服驱动器、变频器
优势:36mΩ导通电阻减少40%热损耗
🔹 新能源发电
光伏/风电三电平逆变器
优势:45nC Qrr提升MPPT效率
🔹 电动汽车
OBC车载充电机、DC-DC转换器
优势:AEC-Q101认证,耐125℃高温
🔹 高端电源
服务器电源、焊机
优势:500kHz高频支持数字电源设计
四、优势
参数 | KGF75N65KDF | 竞品IPW90R120C3 | 前代KGF60N65KDF |
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导通电阻 | 36mΩ | 42mΩ | 48mΩ |
开关速度 | Qrr=45nC | Qrr=60nC | Qrr=55nC |
雪崩能力 | 100%测试通过 | 未测试 | 80%通过率 |
工作温度 | -55~150℃ | -55~125℃ | -55~125℃ |
单价(千颗) | $8.50 | $9.80 | $11.20 |
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