东芝发布DFN8×8封装的650V第三代SiC MOSFETs

四种新器件提高工业设备的效率和功率密度
日本川崎—东芝电子设备和存储公司(简称“东芝”)推出了四款650V碳化硅(SiC)MOSFET，配备了其最新的[1] 第三代碳化硅MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8×8封装，适合工业设备，如开关电源和光伏发电机功率调节器。四款设备的批量出货量，”TW031V65C,” “TW054V65C,” “TW092V65C，“和”TW123V65C，“今天开始。 这些新产品是首款采用小型表贴DFN8×8封装的第三代SiC MOSFETs，与TO-247和TO-247-4L(X)等引脚插入式封装相比，体积缩小了90%以上，并提高了设备功率密度。表面贴装也允许使用寄生阻抗[2]比引线插入式封装更小的元件，降低了开关损耗。DFN8×8是一个4引脚[3]包，允许使用开尔文连接其信号源端子为栅极驱动。这降低了封装内源极线电感的影响，实现了高速开关性能；对于TW054V65C，它将导通损耗降低了约55%，关断损耗降低了约25%[4]与目前的东芝产品相比[5]，有助于减少设备中的功率损耗。 东芝将继续扩大产品线，为提高设备效率和增加电力容量做出贡献。

应用程序

• 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源。
• 电动汽车充电站
• 光伏逆变器
• 不间断电源

特征

• DFN8×8表贴封装。使设备小型化和自动化装配成为可能。低开关损耗。
• 东芝第三代碳化硅MOSFETs
• 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，漏极-源极导通电阻具有良好的温度依赖性
• 低漏源导通电阻×栅漏电荷
• 低二极管正向电压:VDSF=-1.35伏(典型值。)(V(美国联邦政府职员)总表(General Schedule)=-5V)东芝原厂技术支持王工，东芝铠侠存储总代VW；wjglsq