常见电源的解释说明
英文缩写
- BJT（bipolar junction transistor）双极型结晶体管
- FET（field-effect transistor）场效应管
- TTL（Transistor-Transistor Logic）三极管
- CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）互补金属氧化物半导体
常见电源的解释说明
电源
VCC
VCC（Voltage at the Common Collector）正电源电压
- C可以理解为三极管的集电极 Collector 或者电路 Circuit，即接入电路的电压，VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极
- 对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压（CMOS芯片有时借用VCC表示正电源，以数据手册为准）（VCC是双极器件的正，VDD多半是单级器件的正）
- 对于双极型晶体管（BJT）（如TTL逻辑芯片），CC最初指晶体管集电极（Collector）的公共供电点。PNP管时为负电源电压（标成 -VCC）, NPN 管时为正电压
VCC的符号意义演变
- 历史绑定：VCC最初严格对应BJT集电极的电源连接。
- 现代抽象：VCC已演变为正电源的通用符号，与器件类型无关，尤其在传统系统或混合设计中常见。
- 设计原则：
- 符号统一性 > 物理准确性：电路图的清晰性比严格符合器件物理连接更重要。
- 功能导向：VCC代表“正电源端”，工程师只需关注其电压值，而非名称来源。
VCC的命名确实源于BJT集电极的历史连接，但在现代电路中已抽象化为正电源的通用符号，不再局限于BJT场景。设计时需以具体器件手册为准，而非拘泥于名称起源。
VDD
VDD（Voltage at the Drain）正电源电压
-
D可以理解为Drain（接入电路的漏极电源电压）或Device（即器件内部的工作电压）
-
区别于VCC的理解：VCC多为电路的供电电压，VDD为器件看到的电压，通常VCC>VDD
-
主要用于场效应管（FET）或CMOS电路（如MOSFET、微控制器）的正电源供电（更多的强调单极器件）
-
用于 MOS 晶体管电路，一般指正电源，因为很少单独用 PMOS 晶体管,
-
在 CMOS 电路中 VDD 经常接在 PMOS 管的源极上给电路正电源供电（这里就会发现与上文中说的接入电路的漏极电源不一致）
为何CMOS中VDD接PMOS源极但仍称VDD：
历史习惯：早期MOS电路电源接漏极（Drain），名称VDD被保留。
符号抽象：VDD/VSS在现代设计中代表电源极性，而非具体物理连接。
功能需求：PMOS源极必须接高电平以实现逻辑功能，与命名无关。
设计意义：
这种命名与物理连接的“矛盾”是电路符号抽象化的结果，目的是简化设计标注，避免因结构变化频繁修改符号体系。实际应用中，工程师只需记住：- VDD = 正电源端
- VSS = 地端
无需纠结PMOS/NMOS的源极或漏极连接。
-
-
有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
VSS
VSS（Voltage at the Source/Substrate）：地或负电源
- S可以理解为 Source（场效应管的源极电源电压）或者Substrate（衬底）；也有理解为series 表示公共连接的意思；VSS通常指电路公共接地端电压，或电源负极
- 对于数字电路尤其是CMOS芯片来说，VSS是接地点，一般地引脚标注为VSS（与VDD配对使用，作为参考地，即0V电位）
- 在双电源系统中，VSS可能指负电压（如-5V），但多数情况为地。
VEE
VEE（Voltage at the Emitter）
- E可以理解为Emitter，指双极型晶体管（BJT）发射极的供电电压
- 一般用于 ECL 等电路的负电源电压
VBB
基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.
VPP
编程/擦除电压。
总结
一般来说VCC=模拟电源，VDD=数字电源，VSS=数字地，VEE=负电源
地
- GND：公共地
- 直流地：直流电路“地”，零电位参考点
- 交流地：交流电的零线，应与地线区别开
- 功率地：大电流网络器件、功放器件的零电位参考点
- DGND：数字地，也叫逻辑地，是数字电路的零电位参考点
- AGND：模拟地，放大器、采样保持器、A/D转换器和比较器的零电位参考点。
- SGND：信号地 信号“地”：又称参考“地”，就是零电位的参考点，也是构成电路信号回路的公共段，图形符号“⊥”
- GND_EARTH：机壳地
- “热地”：开关电源无需使用变压器，其开关电路的“地”和市电电网有关，既所谓的“热地”，它是带电的。
- “冷地”：由于开关电源的高频变压器将输入、输出端隔离;且其反馈电路常用光电耦合，既能传送反馈信号，又能将双方的"地"隔离;所以输出端的地称之为“冷地”，不带电。
- 保护地：保护"地"是为了保护人员安全而设置的一种接线方式。保护“地”线一端接用电器，另一端与大地作可靠连接。
总结助记
- VCC：C可以理解为三极管的集电极Collector或者电路Circuit，指电源正极指电源正极（一般是模拟）
- VDD：D可以理解为MOS管的漏极Drain或者设备Device，指电源正极。
- VEE：E可以理解为三极管的发射极Emitter，指电源负极。
- VSS：S可以理解为MOS管的源极Source或衬底，指电源负极。
- VBB：B可以理解为三极管的基极B，一般指电源正极。
- AVCC，A是Analog的意思，模拟VCC，一般模拟器件会有。
- AVDD，A是Analog的意思，模拟VDD，一般模拟器件会有。
- DVCC，D是Digital的意思，数字VCC，一般在数字电路中。
- DVDD，D是Digital的意思，数字VDD，一般在数字电路中。
- AGND，模拟GND，对应AVCC或者AVDD的负极。
- DGND，数字GND，对应DVCC或者DVDD的负极。
- PGND，P是Power的意思，功率GND，比如DC-DC中就会有功率地和信号地区分。
- Vpp，有的好像叫Vpk，电压峰峰值，对于正弦信号，就是波峰电压减去波谷电压，最大值减去最小值。
- Vrms，rms是root mean squre的缩写，均方根的意思，Vrms一般指交流信号的有效值。
- VBAT，BAT是电池BATTERY的简写，一般指电池电压。
- VSYS，SYS是SYSTEM的简写，一般指平台方案（如MTK）的系统供电。
- VCORE，CORE指核心的意思，一般指CPU、GPU等芯片的核电压。
- VREF，REF是reference的意思，参考电压，比如ADC内部的参考电压等。
- PVDD，P是Power的意思，功率VDD。
- CVDD，这个C也是CORE，核电源VDD的意思。
- IOVDD，IO就是GPIO，指给GPIO供电的VDD，CAMERA里面会用到，I2C通信的上拉电源。
- DOVDD，CAMERA里面用到的，由外部供给CAMERA，一般也是模拟电源。
- AFVDD，Auto Focus VDD，意为自动对焦VDD电源，CAMERA里面会用到，给马达供电用的。
- VDDQ，DDR里面用到的，DDR里面有一个DQ信号，可以理解为给这些数据信号供电的。
- VPP，这个VPP是全大写的，DDR4里面用到的，DD3里面是没有的，称为激活电压，字位线的开启电压。
- VTT，一般VTT=1/2VDDQ，也是在DDR里面用到的，给一些控制信号提供电源的。
- VCCQ，在nand flash里面会用到，比如手机常用的eMMC、UFS等存储器，一般给IO供电。