Marin说PCB之包地间距对GMSL2信号阻抗的影响分析--01

最近江湖上的炒的的最火的估计就是我们的韩道友喜结元婴这件大事了，据说当天某B平台的服务器都崩溃了，在线观看至少都44W+了，加上一些江湖上的散修和魔修的道友们，估计就更多了啊。

想想人家韩立苟住这么多年终于走到元婴这个阶段了，小编我也不能落后啊。于是乎当天晚上我就在网上买了很多修仙的法宝，例如什么韩立同款掌天瓶，眨眼剑法，大衍决等。

好了，咱们言归正传啊。本期的内容来自我们组的一个资深EE同事，银河系老乡--时间道祖（自称）史珍香，他上周五的时候问了小编我一个问题，就是说你经常说一些高速线包地的话需要拉开间距，这个原理是啥？

其实上篇文章中小编我就已经给出了高速线包地的一些优缺点，感兴趣可以翻阅小编的上一篇文章“

其中说到了高速线包地的话要确保证其与包地线的间距足够才可以，尽量因为避免包地走线间距太近从而引起高速线的阻抗突变了，下面的案例就是通过仿真高速选的TDR曲线图来分析包地线的间距对其 高速线的阻抗影响有多少？

一，L3层的RX0_96712_FAKRA_3的包地shap的间距有点近，对其走线的阻抗会有一些影响的。

二，首先我我仿真看下拉开RX0_96712_FAKRA_3这个信号的包地shape的间距后其S参数的IL和RL是否有所改善：

三，RX0_96712_FAKRA_3仿真结果比对：

RX0_96712_FAKRA_3_ IL:

RX0_96712_FAKRA_3_RL:

其实通过比对发现改善包地的间距后对其插损和回损的作用不是很多的。其实信号的S11曲线不能很直观的反应其阻抗的变化特征，我们可以通过TDR仿真再去分析一下。

五，RX0_96712_FAKRA_3—TDR的仿真的结果：

修改前的RX0_96712_FAKRA_3TDR阻抗曲线图：

修改后的RX0_96712_FAKRA_3TDR阻抗曲线图：

对比后的结果图：

结论：虽然前面的走线部分也是满足50欧姆+-/10%的误差范围，但是显然改善的后曲线更加接近我们的50欧姆的阻抗线部分，所以说有时间的话还是建议把L3层这些GMSL2的包地走线的尽量拉开一些比较好的。

好了，诸位道友们以上就是本期的所有内容了，我们下期文章不见不散。

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