标准 PVT (Process-Voltage-Temperature) 签核矩阵
标准 PVT (Process-Voltage-Temperature) 签核矩阵
| Corner 名称 | 工艺 (Process) | 电压 (Voltage) | 温度 (Temperature) | 主要检查目的 |
|---|---|---|---|---|
| SS_125C_0.9V | Slow-Slow | 0.9V（低压） | 125°C（高温） | Setup worst-case (最慢时序) |
| FF_-40C_1.1V | Fast-Fast | 1.1V（高压） | -40°C（低温） | Hold worst-case (最快时序) |
| TT_25C_1.0V | Typical-Typical | 1.0V（标称） | 25°C（室温） | 功能仿真、典型功耗分析 |
| SF_125C_0.9V | Slow NMOS / Fast PMOS | 0.9V | 125°C | 异常工艺角，补充 Setup 检查 |
| FS_-40C_1.1V | Fast NMOS / Slow PMOS | 1.1V | -40°C | 异常工艺角，补充 Hold 检查 |
| FF_125C_1.1V | Fast-Fast | 1.1V | 125°C（高温） | Fast Process下的高温功耗分析 |
| SS_-40C_0.9V | Slow-Slow | 0.9V | -40°C（低温） | 超低温最慢时序确认 |
| TT_85C_1.0V | Typical-Typical | 1.0V | 85°C | 中温典型功能检查 |
常见的特别 corner（补充一下）
| Corner 名称 | 描述 |
|---|---|
| ML (Maximal Leakage) | Fast Process + 高温 + 高压，测静态泄漏功耗最大 |
| LV (Low Voltage Corner) | 极限低电压下时序检查，确保跌电时芯片不挂 |
| HV (High Voltage Corner) | 极限高电压下可靠性签核，尤其关注 IR drop 和 electromigration |
签核流程小提示：
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Setup（数据到时钟上升沿的时序）→ 主要看 SS/TT corner
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Hold（数据稳定保持时间）→ 主要看 FF/FS corner
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功耗（尤其是静态泄漏功耗）→ 主要看 ML corner
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可靠性（EM, IR drop, 热特性）→ 补跑 LV/HV 温压组合
实际签核顺序（参考）：
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功能仿真验证 (TT corner)
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时序收敛 (SS, FF, SF, FS)
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功耗签核 (ML, FF 角)
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IR drop & 电迁移签核 (HV/LV extreme corners)
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ECO修补后重新在所有corner回归验证
最后送你一句经验话：
一个芯片如果所有角（corner）都能正确跑通，setup/hold都过，功耗也在规格以内，这才是真正可以Tapeout的芯片。