CMOS图像传感器系列--(一)像素设计基础
CMOS图像传感器系列–(一)像素设计基础
文章目录
- CMOS图像传感器系列--(一)像素设计基础
- 📸 **一、像素结构基础**
- ⚙️ **二、3T、4T、5T像素结构详解**
- **1. 3T像素(3晶体管)**
- **2. 4T像素(4晶体管)**
- **3. 5T像素(5晶体管)**
- ⚖️ **三、三种结构性能对比**
- 📚 **四、参考来源**
- 📚 **四、参考来源**
CMOS传感器将光信号转化为电信号,核心结构包含 像素阵列(光电二极管+晶体管)、 行/列驱动器 及 AD转换器.技术涵盖 背照式(BSI)(提升40%感光度)与 堆栈式设计(优化空间利用率),支持 全局/卷帘快门, 满足高速与抗畸变需求.
专栏将深入解析CMOS架构演进、国产化进程及前沿技术(如3D感光、量子效率优化),覆盖设计原理至产业应用全链条.
CIS中的核心组件——像素。像素设计的好坏,在很大程度上决定了CIS的整体性能。像素的种类繁多,包括3T、4T、5T像素等,这些是可见光成像中最常用的类型。
📸 一、像素结构基础
CMOS传感器像素由光电二极管(PD) 和晶体管组构成,晶体管数量决定像素功能复杂度:
- 光电二极管:感光产生电荷。
- 晶体管组:控制电荷转移、复位、读出等流程。
⚙️ 二、3T、4T、5T像素结构详解
1. 3T像素(3晶体管)
基于PN结的Active Pixel结构,也成为3T像素结构(每个像素包含3个三极管)。在这种结构中,每个像素包含一个PN结作为感光元件,一个复位三极管RST,一个行选择器RS,以及一个信号放大器SF。其工作方式和Passive Pixel类似:
1、 复位RST。给PN结加载反向电压,或者说激活RST给PN结进行复位。复位完成后,不再导通RST。
2、 曝光PD。和在Passive Pixel中一样,光子打到PN结及硅基,被吸收后产生电子-空穴对。这些电子空穴对通过电场移动后,减小PN结上的反向电压。
3、 读出SF。在曝光完成后,RS会被激活,PN结中的信号经过运放SF放大后,读出到column bus。
4、 循环。读出信号后,重新复位,曝光,读出,不断的输出图像信号。
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结构:光电二极管PD + 复位晶体管&#