FLASH闪存(擦除、编译)
FLASH闪存
文章目录
- FLASH闪存
- 1.存储器映像位置
- 2.FLASH简介
- 3.闪存模块组织
- 3.2闪存的共性:
- 4.FLASH基本结构
- 4.1FLASH解锁
- 4.2使用指针访问寄存器
- 5.选项字节
- 5.1选项字节编程
- 5.2选项字节擦除
- 6.相关函数介绍
- 7.读取内部FLASH(实操)
- 7.1接线图
- 7.2工程结构
- 7.3代码
- 8.读取芯片ID(实操)
- 8.1接线图
- 8.2代码
闪存是一个通用的名词,表示一种非易失性,掉电不丢失的存储器。比如PSI的W25Q64芯片。
本节的内容是stm32的内部闪存,也就是我们下载程序的时候,这个程序所存储的地方。
1.存储器映像位置
存储器映像
类型 | 起始地址 | 存储器 | 用途 |
---|---|---|---|
ROM | 0x0800 0000 | 程序存储器Flash | 存储C语言编译后的程序代码 |
0x1FFF F000 | 系统存储器 | 存储BootLoader,用于串口下载 | |
0x1FFF F800 | 选项字节 | 存储一些独立于程序代码的配置参数 | |
RAM | 0x2000 0000 | 运行内存SRAM | 存储运行过程中的临时变量 |
0x4000 0000 | 外设寄存器 | 存储各个外设的配置参数 | |
0xE000 0000 | 内核外设寄存器 | 存储内核各个外设的配置参数 |
其中程序存储器是空间最大,最主要的部分,称作主存储器。
2.FLASH简介
- STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分,通过闪存存储器接口(外设)可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
- 读写FLASH的用途:
- **利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据 **
- 通过在程序中编程(IAP),实现程序的自我更新
- 在线编程(In-Circuit Programming – ICP)用于更新程序存储器的全部内容,它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序(Bootloader)下载程序
- 在程序中编程(In-Application Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序
JTAG、SWD协议就是仿真器下载程序,就是目前使用的ST_Link使用SWD下载程序。每次下载都是把整个程序完全更新掉。
Bootloader串口下载,也是更新整个程序,这就是ICP下载方式。
3.闪存模块组织
C8T6的闪存容量是64K,属于中容量产品。
启动程序代码:系统存储器,存放的是原厂写入的Bootloader,用于串口下载
用户选择字节:也就是选项字节,存放一些独立的参数
闪存存储器接口寄存器,实际上并不属于闪存,地址都是40开头的,说明这个存储器接口寄存器,就是一个普通的外设和GPIO、定时器,串口等等都是一个性质的东西,都是SARM。
简言之,闪存存储器接口寄存器就是上面那些闪存的管理员,这些寄存器就是用来控制擦除和编程这个过程的
闪存的基本单位为页,共128K,而C8T6只有一半,为64页,共64K。所说的闪存的容量也只是主存储器的容量。
3.2闪存的共性:
- 写入前必须擦除
- 擦除必须以最小单位进行
- 擦除后数据位全变为1
- 数据只能1写0,不能0写1
- 擦除和写入之后都需要等待忙
4.FLASH基本结构
分为程序存储器,系统存储器和选项字节三部分。
4.1FLASH解锁
- FPEC共有三个键值:
- RDPRT键 = 0x000000A5
- KEY1 = 0x45670123
- KEY2 = 0xCDEF89AB
- 解锁:
- 复位后,FPEC被保护,不能写入FLASH_CR
- 在FLASH_KEYR先写入KEY1,再写入KEY2,解锁
- 错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR
- 加锁: 设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR(就是LOCK位写入1就好了)
4.2使用指针访问寄存器
- 使用指针读指定地址下的存储器:
- uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
- 使用指针写指定地址下的存储器:
- *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
- 其中:
- #define __IO volatile
读直接读写入,写需要先解锁。
5.选项字节
- RDP:写入RDPRT键(0x000000A5)后解除读保护
- USER:配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
- Data0/1:用户可自定义使用
- WRP0/1/2/3:配置写保护,每一个位对应保护4个存储页(中容量)
写入RDP存储器时,要在对应的存储器写入反码。(写入RDP时要在nRDP写入对应的反码)。如果不是反码的关系,则代表数据无效,对应功能不执行。
5.1选项字节编程
- 检查FLASH_SR的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作
- 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
- 设置FLASH_CR的OPTPG位为1
- 写入要编程的半字到指定的地址
- 等待BSY位变为0
- 读出写入的地址并验证数据*
5.2选项字节擦除
- 检查FLASH_SR的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作
- 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
- 设置FLASH_CR的OPTER位为1
- 设置FLASH_CR的STRT位为1等待BSY位变为0
- 读出被擦除的选择字节并做验证
6.相关函数介绍
void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);
//与内核运行代码有关不需要太多了解。
void FLASH_Unlock(void);//解锁
void FLASH_Lock(void);//加锁,LOCK位设置为1
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);//闪存擦除某一页,参数给一页的起始地址,返回值为执行状态
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);//全擦除操作
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);//擦除选项字节
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);//指定地址写入字
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);//指定地址写入半字
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data); //自定义的data0和data1
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);//写保护
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);//读保护
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);//用户选项的三个配置位
//上面4个是选项字节的写入
//对主闪存和选项字节,进行擦除和编程的函数
uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);//获取用户选项的三个配置位
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);//获取写保护状态
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);//获取读保护状态
//获取选项字节当前的状态
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);//获取预取缓冲区状态
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);//中断使能
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);//获取标志位
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);//清除标志位
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);//获取状态
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);//等待上一次操作,系统内部会调用,所以不用单独调用
7.读取内部FLASH(实操)
7.1接线图
7.2工程结构
这里打算弄两个底层模块:
最底层叫MY_FLASH:这里实现闪存最基本的三个功能:读取、擦除和编程
上面层叫STORE:实现参数数据的读写和数据管理,定义一个SRAM数组,需要掉电不丢失的参数就写到SRAM数组里,最后调用保存的函数,这个SRAM数组就自动备份到闪存里,上电后store初始化,会自动再把闪存里的数据读回到SRAM数组里
最终实现的功能是:任意读写参数,并且这些参数是掉电不丢失的
7.3代码
代码部分主要就是对封装完的库函数进行调用。将数据封装到,数组,再将数组的内容写到闪存,在重新上电后再写回去实现掉电不丢失。
主程序main.c
#include "stm32f10x.h" // Device header
#include "Delay.h"
#include "LED.h"
#include "KEY.h"
#include "OLED.h"
//#include "OLED_Font.h"
#include "Store.h"uint16_t KeyNum = 0;int main(void)
{/*模块初始化*/OLED_Init(); //OLED初始化Key_Init(); //按键初始化Store_Init(); //参数存储模块初始化,在上电的时候将闪存的数据加载回Store_Data,实现掉电不丢失/*显示静态字符串*/OLED_ShowString(1, 1, "Flag:");OLED_ShowString(2, 1, "Data:");while (1){KeyNum = Key_getNum(); //获取按键键码if (KeyNum == 1) //按键1按下{Store_Data[1] ++; //变换测试数据Store_Data[2] += 2;Store_Data[3] += 3;Store_Data[4] += 4;Store_Save(); //将Store_Data的数据备份保存到闪存,实现掉电不丢失}if (KeyNum == 2) //按键2按下{Store_Clear(); //将Store_Data的数据全部清0}OLED_ShowHexNum(1, 6, Store_Data[0], 4); //显示Store_Data的第一位标志位OLED_ShowHexNum(3, 1, Store_Data[1], 4); //显示Store_Data的有效存储数据OLED_ShowHexNum(3, 6, Store_Data[2], 4);OLED_ShowHexNum(4, 1, Store_Data[3], 4);OLED_ShowHexNum(4, 6, Store_Data[4], 4);}
}
Store.c
#include "stm32f10x.h" // Device header
#include "MyFLASH.h"#define STORE_START_ADDRESS 0x0800FC00 //存储的起始地址
#define STORE_COUNT 512 //存储数据的个数uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];void Store_Init(void){//判断是不是第一次使用if(MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS)!=0xA5A5){//A5A5不是固定的,只是判断是不是某个你设置的值,唯一,标志,IDMyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS,0xA5A5);for(uint16_t i = 1;i<STORE_COUNT;i++){MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS+i*2,0x0000);}}for(uint16_t i = 0;i<STORE_COUNT;i++){Store_Data[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS+i*2);}
}//保存:擦除界面后将数组的数据读取到闪存界面
void Store_Save(void){MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);//擦除指定页for(uint16_t i = 0;i<STORE_COUNT;i++){MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS+i*2,Store_Data[i]);//将数组数据备份到闪存}
}//手动清除操作
void Store_Clear(void){for(uint16_t i = 1;i<STORE_COUNT;i++){Store_Data[i] = 0x0000;}Store_Save();
}
Store.h
#ifndef __STORE_H
#define __STORE_Hextern uint16_t Store_Data[];void Store_Init(void);
void Store_Save(void);
void Store_Clear(void);#endif
MyFLASH.c
#include "stm32f10x.h" // Device header//获取32位的字
uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address){//stm32的地址都是32位的return *((__IO uint32_t * )(Address));
}//获取16位的半字
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address){return *((__IO uint16_t * )(Address));
}
//获取一字节
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address){return *((__IO uint8_t * )(Address));//使用指针访问
}//全擦除
void MyFLASH_EraseAllPages(void){FLASH_Unlock();//解锁FLASH_EraseAllPages();//全擦除FLASH_Lock();//加锁
}//页擦除
void MyFLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress){FLASH_Unlock();FLASH_ErasePage(PageAddress);FLASH_Lock();
}//写入32位字
void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address,uint32_t Data){FLASH_Unlock();FLASH_ProgramWord(Address,Data);FLASH_Lock();
}//写入16位半字
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint16_t Data){FLASH_Unlock();FLASH_ProgramHalfWord(Address,Data);FLASH_Lock();
}
MyFLASH.h
#ifndef __MY_FLASH
#define __MY_FLASHuint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address);
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address);
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address);void MyFLASH_EraseAllPages(void);
void MyFLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress);void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);#endif
8.读取芯片ID(实操)
8.1接线图
8.2代码
主程序部分主要是读取 STM32F10x 系列微控制器的唯一设备标识符(UID)并通过 OLED 显示。
main.c
#include "stm32f10x.h" // Device header
#include "Delay.h"
#include "LED.h"
#include "KEY.h"
#include "OLED.h"
//#include "OLED_Font.h"int main(void){OLED_Init();OLED_ShowHexNum(1,8,*((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E0)),4);OLED_ShowString(2,1,"U_ID:");OLED_ShowHexNum(2,6,*((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8)),4);OLED_ShowHexNum(2, 11, *((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8 + 0x02)), 4);OLED_ShowHexNum(3, 1, *((__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8 + 0x04)), 8);OLED_ShowHexNum(4, 1, *((__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8 + 0x08)), 8);while(1){}
}