推荐两本集成电路制作书籍

 本书共分19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等项目和课题。
国内从事半导体产业的科研工作者、技术工作者和研究生可使用本书作为教科书或参考资料。

 全书共分为9章：
• 第1章为功率半导体器件基础，首先介绍了Si功率器件的发展过程、特性及不足，再以半导体材料特性为基础介绍SiC功率器件相比Si功率器件的优势，还介绍了商用SiC功率器件和封装的发展现状。
• 第2章为SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，首先详细介绍了SiC MOSFET的最大值、静态参数、动态参数三大类参数的定义，并深入器件原理解释相关特性，给出了各项参数的测量方法。另外，还详细介绍了器件参数的实际应用，包括FOM值、建模与仿真、器件损耗计算。
• 第3章为双脉冲测试技术，首先以典型功率变换拓扑的换流过程为例说明采用双脉冲测试评估器件开关特性的合理性，接着详细介绍了双脉冲测试的基本原理、参数设定、测试平台、测量仪器和测量挑战。
• 第4章为SiC器件与Si器件特性对比，包含SiC MOSFET与Si SJ-MOSFET的对比，SiC MOSFET与Si IGBT的对比，SiC SBD、SiC MOSFET体二极管、Si FRD、Si SJ-MOSFET体二极管的对比。
• 第5章为关断电压尖峰的影响与应对，详细介绍了关断电压尖峰的影响因素及三种应对措施，包括回路电感控制、去耦电容和降低关断速度。
• 第6章为crosstalk的影响与应对，详细介绍了crosstalk基本原理和关键影响因素及两种应对措施，包括米勒钳位和回路电感控制。

 第7章为共模电流的影响与应对，详细介绍了信号通路共模电流的基本原理和特性以及三种应对措施，包括高CMTI驱动芯片、高共模阻抗和共模电流疏导，此外还介绍了差模干扰测量技术。
• 第8章为共源极电感的影响与应对，详细介绍了共源极电感对器件开关特性和crosstalk的影响及开尔文源极封装的优势，并提出了创新的测试评估方法。
• 第9章为驱动电路设计，为读者搭建了驱动电路架构，详细介绍了驱动电阻取值、驱动电压、驱动级特性的影响、信号隔离传输和短路保护关键技术。
作者在章节设置、内容选择、表述方式、波形展示等方面做了大量的工作，力求内容条理清晰、通俗易懂，能够切实帮助读者的学习和工作。首先，在进行知识讲解时，注重为读者搭建系统的知识框架，避免“只见树木不见森林”。其次，在SiC器件应用挑战的应对措施的讲解中，不一味追求最新学术研究成果，而是选择能够实际应用的技术，切实解决SiC器件的应用问题。另外，书中使用了大量篇幅对测试设备、测试方法进行了详细的讲解，帮助功率器件和电力电子研究者和工程师弥补测试技术这一短板。同时，书中绝大多数波形采用实验实测结果，对应的分析和结论更加贴近实际应用，可直接指导应用设计，避免理论理想波形与实际测试波形之间的偏差所带给读者的困惑。最后，在每一章结尾给出了丰富的参考文献和有价值的延伸阅读资料，多为工业界应用手册和具备工程应用前景的学术论文，兼顾前沿性与实用价值。