碳化硅（SiC）MOSFET桥式电路应用中米勒钳位功能的重要性

在碳化硅（SiC）MOSFET桥式电路应用中，米勒钳位功能至关重要，主要体现在以下几个方面：

在SiC MOSFET桥式电路（如充电桩LLC拓扑、光伏逆变器等）中，米勒钳位功能是确保高可靠性和高效率的核心设计要素。通过主动抑制米勒效应，可显著降低误开通风险，为高频、高压应用提供关键保障。

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1. 抑制米勒效应引起的误开通

米勒效应原理：当桥式电路的上管快速开通时，桥臂中点电压的快速变化（高dv/dt）会通过下管的栅漏寄生电容（Cgd​）产生米勒电流（Igd​=Cgd​⋅dtdv​）。该电流流经下管的栅极电阻（Rgoff​），导致下管栅极电压被抬高，可能超过阈值电压（VGS(th)​），引发误开通（直通现象）。

SiC MOSFET的脆弱性：

SiC MOSFET的阈值电压较低（1.8~2.7V），且随温度升高进一步下降，更容易因米勒电流误开通。

SiC器件的开关速度极快（dv/dt可达50kV/μs以上），进一步加剧米勒效应风险。

2. 米勒钳位功能的作用

主动钳位门极电压：米勒钳位通过低阻抗路径（如驱动芯片内部的MOSFET）将门极电荷快速泄放至负电源轨，抑制栅极电压的抬升（例如将VGS​从7.3V降至2V）。

增强系统可靠性：避免上下管直通短路，降低热失控和器件损坏风险。

3. 与传统IGBT的对比

IGBT：驱动负压容忍度更高（-8~-15V），阈值电压较高（约5.5V），通常无需米勒钳位。

SiC MOSFET：驱动负压受限（-4V~-8V），阈值电压低且对温度敏感，必须依赖米勒钳位抑制误开通。

4. 实测验证

在双脉冲测试中，开启米勒钳位功能后，下管栅极电压波动显著降低（从7.3V降至2V），有效避免误开通（详见第55-56页测试数据）。

5. 系统优化意义

提升效率：减少开关损耗和直通损耗，优化整机效率。

支持高频应用：通过抑制米勒效应，充分发挥SiC MOSFET的高频优势。

碳化硅（SiC）MOSFET桥式电路应用中米勒钳位功能的重要性

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在SiC MOSFET桥式电路（如充电桩LLC拓扑、光伏逆变器等）中，米勒钳位功能是确保高可靠性和高效率的核心设计要素。通过主动抑制米勒效应，可显著降低误开通风险，为高频、高压应用提供关键保障。