WriteBooster
文章目录
- 前言
- 13.4.17 WriteBooster
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- 13.4.17.1 Overview
- 13.4.17.2 WriteBooster configuration
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- LU dedicated buffer mode
- Shared buffer mode
- 13.4.17.3 Writing data to WriteBooster Buffer
- 13.4.17.4 Flushing WriteBooster Buffer
- 13.4.17.5 Preserve user space option
- 总结
前言
提示：1~4章有兴趣自己查询英文文档，本文就不具体描述，直接进去正题，从第5章开始。 绿色：重点语句，红色：重点词汇，蓝色：作者根据文章内容进行的相关解析，仅供参考。如果对您有一点帮助，帮点个赞吧！
13.4.17 WriteBooster
注：UFS2.2、UFS3.1、UFS4.0支持WriteBooster特性；UFS2.1、UFS3.0不支持
13.4.17.1 Overview
TLC NAND的写入性能明显低于SLC NAND，因为逻辑上定义的TLC位需要更多的编程步骤，并且具有更高的纠错概率。
为了提高的写性能，部分TLC NAND（普通存储）被配置为SLC NAND，用作临时或永久的写缓冲区。
使用 SLC NAND 作为写入加速缓冲区，能够使写入请求的处理具有更低的延迟，并提升整体的写入性能。分配给用户区的TLC NAND的某些部分被分配为WriteBooster Buffer。
写入WriteBooster Buffer中的数据可以通过显式主机命令或在hibernate （HIBERN8）状态下隐式地刷新到TLC NAND存储中？
TLC和SLC以外的技术NAND可以用作普通存储和WriteBooster Buffer。