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国产高性能pSRAM选型指南:CSS6404LS-LI 64Mb QSPI伪静态存储器

一、芯片基础特性
  1. 核心参数

    • 容量 :64Mb(8M × 8bit)
    • 电压 :单电源供电 2.7-3.6V (兼容3.3V系统)
    • 接口 :Quad-SPI(QPI/SPI)同步模式
    • 封装 : SOP-8L (150mil) (兼容主流贴装工艺)
    • 温度范围 : 工业级 -40℃ ~ +85℃ (后缀-LI标识)
  2. 性能亮点

    工作模式最高频率电压条件
    32字节回绕突发133MHzVDD=3.0V±10%
    32字节回绕突发109MHzVDD=3.3V±10%
    线性突发跨页操作84MHz全电压范围
  3. 功耗优势

    • 待机电流 :250μA @85℃(350μA @105℃)
    • Halfsleep模式 :100μA @25℃(数据保持状态)
    • 动态电流 :≤7mA(50%总线切换率)

二、关键选型理由
  1. 硬件设计简化
    • 引脚精简 :仅需4个I/O(CLK/CE#/SIO[3:0])实现高速通信
    • 免刷新设计 :集成自管理刷新机制(No DRAM Controller Needed)
    • 驱动强度 :默认50Ω LVCMOS输出,直驱微控制器IO
  2. 国产化优势
    • 厂商 :深圳市满度科技有限公司(Cascadeteq Inc)
    • 供应链 :支持Tape & Reel卷盘包装(后缀-LI含卷盘)
    • 交期可控 :本土生产保障供应稳定性
  3. 可靠性保障
    • 工业级温度 :-40℃~+85℃严苛环境适用
    • 抗干扰设计 :内置电压传感器,支持软件复位(RESET命令)

三、典型应用场景

✅ 便携设备 :智能手表、AR/VR眼镜(低功耗+小封装)
✅ IoT终端 :传感器数据缓存(自刷新维持数据)
✅ 工控系统 :高速数据采集缓冲(133MHz突发传输)


四、选型注意事项
  1. 封装确认

    • CSS6404LS-LI :SOP-8封装(适合手工焊接/维修)
    • 同系列 CSS6404LU-LI :USON-8L (3x2mm) 超小封装(空间受限场景)
  2. 操作模式选择

    • 跨页读取 :线性突发(Linear Burst)需≤84MHz
    • 高速模式 :32字节回绕突发(Wrap32)支持133MHz
  3. 上电初始化
    markdown

    VDD稳定 → CE#保持高电平150μs → 发送RESET命令(>50ns) → 进入正常工作
    

五、型号参考
型号温度范围封装频率
CSS6404LS-L0℃~+70℃SOP-884MHz
CSS6404LU-LI-40℃~+85℃USON-8L84MHz
CSS6404LS-LI-40℃~+85℃SOP-8133MHz

提示 :完整数据手册下载:*附件:CSS6404L 64Mbit 3.3V QSPI pSRAM-MD-25.pdf

CSS6404LS-LI凭借3.3V兼容性、工业级可靠性、133MHz QSPI突发性能国产供应链优势,成为替代ISSI/AP Memory等进口pSRAM的理想选择。适用于对功耗、体积和成本敏感的嵌入式系统设计,建议优先用于工业控制、穿戴设备及物联网终端。 

http://www.xdnf.cn/news/10850.html

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