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第2课 SiC MOSFET与 Si IGBT 静态特性对比

java 2025/6/23 13:03:45

2.1 输出特性对比

2.2 转移特性对比

2.1 输出特性对比

        器件的输出特性描述了当温度和栅源电压（栅射电压）为某一具体数值时，漏极电流(集电极电流

http://www.xdnf.cn/news/12965.html

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