PECVD 生成 SiO₂ 的反应方程式
在PECVD工艺中，沉积氧化硅薄膜以SiH₄基与TEOS基两种工艺路线为主。
IMD Oxide（USG）
这部分主要沉积未掺杂的SiO₂，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。
反应路径包括：
SiH₄ + O₂ → SiO₂
SiH₄ + N₂O → SiO₂
TEOS + O₂ → SiO₂
TEOS + N₂O → SiO₂
这些都通过 RF激发来沉积 SiO₂。
也包括：SiH₄ + O₂ → SRO，SRO又名富硅氧化物，Si:O 的原子比大于 1:2，调节 SiH₄ 与 O₂ 的比例，可以控制膜中硅的含量。
PMD Oxide
用于 PMD 层，一般掺杂磷（P）或硼（B）以调控应力和流动性。
反应路径：
SiH₄ + PH₃ + O₂ → SiO₂ + P₂O₅ + H₂
TEOS + TMP + O₂ → PSG
SiH₄ + PH₃ + B₂H₆ + O₂ → SiO₂ + P₂O₅ + B₂O₃ + H₂
TEOS + TMP + TEB + O₂ → BPSG
TEOS,TMP,TEB分别是什么？
1，TEOS（TetraEthyl OrthoSilicate）
中文名称：正硅酸四乙酯
分子式：Si(OC₂H₅)₄
结构特征：
中心原子是硅（Si），连接四个乙氧基（OC₂H₅）；
易水解，常用于硅氧化物（SiO₂）薄膜的前驱体。
2，TMP（TriMethylPhosphate）
中文名称：三甲基磷酸酯
分子式：PO(OCH₃)₃
结构特征：
中心是一个磷（P）原子，与一个双键氧（=O）和三个甲氧基（OCH₃）相连；
是一种液态有机磷化合物。
3，TEB（TriEthylBorate）
中文名称：三乙基硼酸酯
分子式：B(OC₂H₅)₃
结构特征：
中心原子是硼（B），连接三个乙氧基（OC₂H₅）；
易挥发，化学活性高。
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